工作電壓不同 DDR3電壓為5V,DDR3L電壓為35V。
功耗區(qū)別 標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存采用5V工作電壓,而DDR3L內(nèi)存則采用的是35V工作電壓。比如,一根4G DDR3L 1600筆記本內(nèi)存,要比DDR3節(jié)省2W功耗,如果組成雙通道將會(huì)節(jié)省4W功耗。
區(qū)別是:(1)兩者在工作電壓不一致。DDR3L電壓為35V一般頻率1333,DDR3電壓為5V一般頻率1600。(2)兩者在兼容度不同。大多數(shù)情況下兼容,但在Haswell平臺(tái)下卻不完全兼容Intel Hasw。(3)兩者的功耗區(qū)別。
1、不可以,DDR4的金手指形狀和電壓都和DDR3不一樣,主板一般都只支持其中一種。ddr4和ddr3不能通用。兩種內(nèi)存采用了不同的接口形式,主板只能支持一種。
2、不是可不可以一起用的問題,問題是兼不兼容如果主板要支持DDR3的內(nèi)存,此時(shí)主板對(duì)內(nèi)存插槽的輸出電壓是不分DDR3和DDR3L的,可以混用。支持DDR3的板子電壓一直是5V,插上DDR3L的條子也是5V,混用沒有問題。
3、與低頻內(nèi)存組成雙通道,而不同代的內(nèi)存則不能混用。比如,DDR2 800MHz的內(nèi)存,如果想增加一條DDR4 2400MHz的內(nèi)存,那是不行的,因?yàn)椴煌靼迨紫染筒恢С謨煞N插槽。
4、ddr4和ddr3不能一起用。ddr3和ddr4的插槽都不同,它們互不兼容,所以不能混用。DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz,最高頻率可達(dá)2133MHz。而DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz,最高頻率可達(dá)3000MHz。
DDR4與DDR3的區(qū)別:(1)外觀改變:DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀,這意味著,DDR4內(nèi)存不再兼容DDR3,老平臺(tái)電腦無法升級(jí)DDR4內(nèi)存,除非將CPU和主板都更換為新平臺(tái)。
規(guī)格不同。DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz,最高頻率可達(dá)2133MHz;DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz,最高頻率可達(dá)3000MHz。外觀不同。DDR4作為DDR3的升級(jí)版本,在外觀上發(fā)生了一些改變。
性能不同 DDR3內(nèi)存起始頻率為800Hz,最高頻率為2133Hz,最大支持64GB。DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133Hz,最高頻率為3200Hz,最大支持128GB。
外觀改變:DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀,這意味著,DDR4內(nèi)存不再兼容DDR3,老平臺(tái)電腦無法升級(jí)DDR4內(nèi)存,除非將CPU和主板都更換為新平臺(tái)。
DDR3和DDR4的區(qū)別:外觀:DDR4內(nèi)存金手指觸點(diǎn)達(dá)到了284個(gè),每一個(gè)觸點(diǎn)間距只有0.85mm(DDR3內(nèi)存金手指觸點(diǎn)是240個(gè),間距1mm)。
外觀 DDR4模組上的卡槽與 DDR3 模組卡槽的位置不同。兩者的卡槽都位于插入側(cè),但 DDR4 卡槽的位置稍有差異,以便防止將模組安裝到不兼容的主板或平臺(tái)中。
ddr3用什么內(nèi)存條好DDR3是一種常見的內(nèi)存類型,它在早期的計(jì)算機(jī)和服務(wù)器中廣泛使用。選擇適合DDR3內(nèi)存的內(nèi)存條取決于多個(gè)因素,包括內(nèi)存容量,時(shí)鐘速度,時(shí)序參數(shù)和內(nèi)存制造商的信譽(yù)等。
光威/GLOWAY、聯(lián)想/Lenovo。光威/GLOWAY是全球?qū)I(yè)游戲內(nèi)存生產(chǎn)商,領(lǐng)域內(nèi)存,暢銷全球,ddr3內(nèi)存條該品牌好。聯(lián)想/Lenovo是ddr3內(nèi)存條十大品牌榜第四,質(zhì)量好,流暢性強(qiáng)。
寬條好。穩(wěn)定性方面。寬內(nèi)存條比窄內(nèi)存條接觸面積變大,超頻的話寬條相對(duì)穩(wěn)定,得益于寬條散熱好。性能方面。寬的內(nèi)存條電氣性能更好,通常超頻性能要優(yōu)于窄條。
其中,華碩的P8Z6P8Z77等系列主板可以支持DDR32133MHz內(nèi)存,性能表現(xiàn)非常出色。而微星的B75MA-E33系列主板則適合初學(xué)者或家庭辦公使用,其DDR31600MHz內(nèi)存具有良好的穩(wěn)定性和性價(jià)比。
得是DDR3代的,同時(shí)是低電壓版的,就是標(biāo)注為DDR3L的 頻率也保持一致,用1600MHZ的 品牌最好也能相同,用回記憶科技的,如果找不到,你用其他大品牌的也行,比如三星,金士頓。兼容性都不會(huì)太差。
1、工作電壓不同 DDR3L電壓為35V一般頻率1333,DDR3電壓為5V一般頻率1600。
2、工作電壓不同 DDR3電壓為5V,DDR3L電壓為35V。
3、兼容度不同。兩者在大多數(shù)情況下兼容,但在Haswell平臺(tái)下卻不能完全兼容Intel Haswell處理器,為了更好的降低功耗,其支持的內(nèi)存類型只有DDR3L,并不能兼容DDR3。功耗區(qū)別。
4、ddr3l和ddr3的區(qū)別如下:功耗區(qū)別 標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存采用5V工作電壓,而DDR3L內(nèi)存則采用的是35V工作電壓。比如,一根4G DDR3L 1600筆記本內(nèi)存,要比DDR3節(jié)省2W功耗,如果組成雙通道將會(huì)節(jié)省4W功耗。
5、ddr3l和ddr3的區(qū)別:工作電壓區(qū)別:DDR3L工作電壓為35V,DDR3工作電壓為5V。
1、DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200 MT/s。
2、DDR400速度是400mhz。DDR2是第二代內(nèi)存,電壓8V,速度一般都是667或800。DDR3是目前最普遍的內(nèi)存,電壓5V,速度很快,容量也很大,單條最大可達(dá)到8GB,頻率從1066-2400mhz不等。
3、首先,它們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸速率上有所不同。DDR2的數(shù)據(jù)傳輸速率通常為800MHz至1600MHz,而DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率則從800MHz開始,并可以高達(dá)3200MHz以上。因此,DDR3內(nèi)存具有更快的速度,可以更有效地處理大量數(shù)據(jù)。
4、頻率方面,DDR3內(nèi)存起始頻率為800,最高頻率達(dá)到了2133。DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133,量產(chǎn)產(chǎn)品最高頻率達(dá)到了3000,從內(nèi)存頻率來看,DDR4相比DDR3提升很大。DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。
5、內(nèi)存卡DDR1,DDR2,DDR3,DDR4區(qū)別為:功能不同、傳輸速率不同、電壓頻率不同。功能不同 DDR1:DDR1在單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。
初次見面,請(qǐng)?zhí)顚懴滦畔?